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电子元件制造对生产用水的纯度要求极为严苛。水中微量的金属离子、颗粒物、有机物或微生物均可能导致元件短路、性能漂移或成品率下降,因此电子元件厂用水需遵循专门的电子级水标准体系。 目前国内外电子元件厂用水标准主要涵盖三大体系。我国现行的国家标准为《电子级水》(GB/T 11446.1-2013),将电子级水分为EW-Ⅰ至EW-Ⅳ四个等级,适用于电子元器件、半导体等生产用水。国际方面,国际半导体设备与材料协会发布的SEMI F63标准是半导体行业超纯水水质的权威指南,美国材料与试验协会发布的ASTM D5127标准亦被广泛参考。此外,国家工业部将电子级水质技术划分为18MΩ·cm、15MΩ·cm、10MΩ·cm、2MΩ·cm和0.5MΩ·cm五个行业等级,以区分不同工艺对水质的差异化需求。 电子级水的核心技术指标涵盖多个维度。电阻率是衡量水中离子杂质总体水平的最关键指标,EW-Ⅰ级水在25℃下的电阻率要求不低于18 MΩ·cm,接近理论纯水极限值18.3 MΩ·cm,EW-Ⅱ级和EW-Ⅲ级分别要求不低于15 MΩ·cm和12 MΩ·cm。总有机碳反映水中有机物含量,EW-Ⅰ级水要求不超过20 μg/L,EW-Ⅱ级不超过100 μg/L,而高端半导体制造中实际要求TOC低于5 ppb。颗粒物控制同样严格,EW-Ⅰ级水对0.05 μm至0.1 μm粒径的微粒数限值为500个/L,大于0.5 μm的微粒数限值为4个/L。 金属离子与微生物指标不可忽视。全硅含量在EW-Ⅰ级水中限值为2 μg/L,铜、锌、镍等金属离子的限值均在0.1至0.5 μg/L之间。细菌总数在EW-Ⅰ级水中要求不超过0.01 CFU/mL。此外,对于先进半导体制造,溶解氧需控制在1 ppb以下,硼元素需控制在ppt级别以避免影响PN结结构。 不同工艺环节对水质等级的需求存在显著差异。半导体芯片高端制程需使用EW-Ⅰ级超纯水,光伏行业的PERC、TOPCon等高效电池要求电阻率达到18.2 MΩ·cm,显示面板制造中AMOLED产线的超纯水纯度需达到ppb级标准。随着集成电路制程节点持续缩小,电子元件厂用水的水质标准将日趋严格,对超纯水制备技术也提出了更高的要求。
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